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Modele de thevenin diode

Dans cet article, nous rapmettons les propriétés électriques de p-CdTe/n-ZnSe préparées par évaporation thermique. Les résultats des caractéristiques de courant – tension (I – V) et de capacitance – voltage (C – V) sont évalués pour comprendre la conduction électrique impliquée, la hauteur de la barrière et l`interface formée, car il est crucial de déterminer les performances de l`appareil. Avec les approximations (valables pour les valeurs les plus courantes des paramètres) i s R ≪ V S {displaystyle I_ {s} Rll V_ {S}} et i/i S ≫ 1 {displaystyle I/I_ {S} GG 1}, cette solution devient la tension de la source V S {displaystyle V_ {S}} est une valeur donnée connue , mais V D {displaystyle V_ {D}} est des deux côtés de l`équation, ce qui force une solution itérative: une valeur de départ pour V D {displaystyle V_ {D}} est devinée et mise dans le côté droit de l`équation. En effectuant les différentes opérations sur le côté droit, nous venons avec une nouvelle valeur pour V D {displaystyle V_ {D}}. Cette nouvelle valeur est maintenant remplacée sur le côté droit, et ainsi de suite. Si cette itération converge les valeurs de V D {displaystyle V_ {D}}, rapprochez-vous et rapprochez-vous au fur et à mesure que le processus se poursuit, et nous pouvons arrêter l`itération lorsque la précision est suffisante. Une fois que V D {displaystyle V_ {D}} est trouvé, je {displaystyle i} peut être trouvé à partir de l`équation de la Loi de Kirchhoff. La diode réelle peut maintenant être remplacée par la diode combinée idéale, la source de tension et la résistance et le circuit est ensuite modélisé à l`aide d`éléments linéaires. Si le segment de ligne inclinée est tangent à la courbe de diode réelle au point Q, ce circuit approximatif a le même circuit de petit signal au point Q que la diode réelle. Pour tout i {displaystyle i}, cette équation détermine V D {displaystyle V_ {D}}. Cependant, je {displaystyle i} doit également satisfaire l`équation de la Loi de Kirchhoff, donnée ci-dessus. Cette expression est remplacée par i {displaystyle i} pour obtenir une fois que le courant est déterminé, la tension de diode peut être trouvée en utilisant l`une des autres équations. Cette expression n`est toutefois qu`une approximation d`une caractéristique I-V plus complexe.

Son applicabilité est particulièrement limitée en cas de jonctions contact, pour lesquelles il existe de meilleurs modèles analytiques. [1] la figure montre une vraie courbe de diode I-V étant approximée par un modèle linéaire à deux segments par par morceaux. Typiquement le segment de ligne incliné serait choisi tangent à la courbe de diode au point Q. Ensuite, la pente de cette ligne est donnée par l`inverse de la résistance du petit signal de la diode au point Q. Si l`anode de la diode est reliée à 0 V, la tension à la cathode sera à VT et ainsi le potentiel à la cathode sera plus grand que le potentiel à l`anode et la diode sera biaisée inversée. Afin d`obtenir la diode à conduire, la tension à l`anode devra être prise à VT. Ce circuit se rapproche de la tension de coupure présente dans les diodes réelles. La caractéristique i-V combinée de ce circuit est illustrée ci-dessous: comme la variation de V D {displaystyle V_ {D}} va avec le logarithme du ratio i i S {displaystyle {frac {I} {I_ {S}}}}, sa valeur varie très peu pour une grande variation du ratio. L`utilisation des logarithmes de base 10 rend plus facile de penser dans les ordres de grandeur.